王守武（1919年3月15日—2014年7月30日），江苏苏州人，半导体器件物理学家，微电子学家，中国科学院学部委员（院士），生前是中国科学院半导体研究所研究员。

王守武1941年毕业于同济大学机电系 ；1943年任教于同济大学 ；1946年从普渡大学工程力学系毕业，获得硕士学位 ；1949年获得普渡大学博士学位，并留校任教 ；1950年受聘于中国科学院应用物理研究所 ；1960年加入中国共产党 ；1960年任中国科学院半导体研究所副所长 ；1980年当选为中国科学院学部委员（院士） ；1987年聘任为中国科学院半导体研究所正研究员 ；2014年7月30日在美国逝世，享年95岁。

王守武毕生从事半导体材料、半导体器件及大规模集成电路等方面的研究与开发工作。

中文名：王守武

国籍：中国

民族：汉族

出生地：江苏苏州

出生日期：1919年03月15日

逝世日期：2014年07月30日

毕业院校：普渡大学

职业：教育科研工作者

主要成就：1980年当选为中国科学院学部委员（院士）

青年王守武

1919年3月15日，王守武出生于江苏苏州。

1925年，入读上海铁华小学二年级。

1927年，转入上海私立民智中小学。

1930年秋，在民智中小学升入初中一年级。

1931年，转入上海侨光中学。

1932年，入读上海青年中学高中。

1934年，转入苏州省立苏州中学。

1935年，入读上海同济大学预科。

1936年，考入同济大学工学院机电系。

1937年，升入同济大学机电系二年级。同年10月，到同济大学金华临时校址报到。

王守武

1941年2月，从同济大学机电系毕业。后进入昆明中央机器厂当工务员。

1942年，任中国工合翻砂实验工厂工务部主任。

1943年，任教于同济大学。同年带队同济大学造船系学生到重庆学习专业课和参加实习。

1945年8月，被美国普渡大学录取，在工程力学系攻读硕士。

1946年6月，从普渡大学工程力学系毕业，获得硕士学位。

1949年2月，从普渡大学毕业，获得博士学位。并留校任教。

王守武

1950年，受聘于中国科学院应用物理研究所。同时受聘于华北大学工学院（现北京理工大学）。

1960年，加入中国共产党 ；2月，随中国科学院代表团赴苏联进行考察 ；9月，任中国科学院半导体研究所副所长。

1961年，随中国科学院代表团赴英国进行考察。

1963年7月，参加中国科学技术大学首届毕业典礼活动 ；11月，随中国学术代表团赴日本访问。

1973年9月，率中国电子器件考察团赴日本考察。

王守武（左）与半导体所原机关党委书记王微在一起

1980年，当选为中国科学院学部委员（院士）。

1987年7月，聘任为中国科学院半导体研究所正研究员。

1991年4月，随中国科学院代表团赴苏联进行考察。

1992年4月，赴美国进行考察。

1995年6月，参加王守觉院士七十寿辰庆祝活动。

2003年5月，参加保护母亲河行动。

2006年11月，在湖北省鄂州市泽林高中设立“英才奖学金”。

2014年7月30日，在美国逝世，享年95岁。

科研成就

科研综述

1985年，王守武（左）在生产线

1957年，王守武研制成功中国第一只锗合金扩散晶体管，设计制造了中国第一台单晶炉，拉制成功了中国第一根锗单晶，研制成功了中国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术；1962年，他领导参与了对半导体材料的电阻率、少数载流子寿命以及锗晶体管频率特性的标准测试方法的研究，建立了相应的标准测试系统；1964年，研制成功了中国第一只半导体激光器。指导参与了激光通讯机和激光测距仪的研制工作；1978年，承担了4千位的MOS随机存储器大规模集成电路的研制。又研制了16千位的MOS随机存储器大规模集成电路；1980年，改建109厂，建成4千位大规模集成电路生产线；王守武还指导参与了许多半导体器件和器件物理方面的基础研究工作，如在半导体性能测试方面的研究，半导体异质结激光器性质的研究，平面Gunn器件的研究，PNPN结构器件的研究，器件物理和器件设计的计算机模拟研究等。

1960年，王守武受命筹建的中国科学院半导体研究所正式成立。

1962年，王守武依据国家科委的决定，在半导体所筹建了全国半导体测试中心。

1963年，王守武组建了激光器研究室。

学术论著

王守武专著《半导体器件研究与进展》

王守武在1950 年回国后的30余年间，相继发表了十余篇对激光器研究的学术论文 ，其代表论著有《半导体的电子生伏打效应的理论》《关于PN合金结中少数载流子的注射理论》《用触针下分布电阻的光电电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命》等 ，其中部分论著参考如下：

王守武.大规模和超大规模集成电路.物理，1983（05）：0-0.

王守武，夏永伟，孔令坤，等.SOI结构中的薄体效应.Journal of SemiconduCTors，1985，6（3）：225-235.

王守武，王启明，林世鸣.单腔双接触结构激光器双稳特性研究.Journal of Semiconductors，1986，7（2）：136-146.

王守武，赵礼庆，张存善，等.DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量.Journal of Semiconductors，1982，3（2）：113-119.

夏永伟，王守武.薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系.Journal of Semiconductors，1990，11（12）：962-965.

王守武.半导体器件研究与进展.科学出版社，1988.

王守武.VDMOS场效应晶体管应用手册.科学出版社，1990.

赵红东，林世鸣，王守武.圆对称光栅对微腔激光器中光波的控制.光子学报，1996，25（5）：6.

王守武.场效应晶体管应用手册.科学出版社，1990.

滕达，徐仲英，庄蔚华，等.GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光吸收谱和横向光电流谱.半导体学报，1990.

Wang Shouwu/Institute of Semiconductors, Academia Sinica，王守武，等.GCr15凹模淬火裂纹止裂处的显微组织分析.半导体学报，1985，4（4）：11-23.

王守武.半导体器件研究与进展第一册.科学出版社，1988.

学术交流

时间	学术活动名称	举办地
1952年7月	电子显微镜座谈会
1956年	“全国十二年科学技术发展远景规划”讨论会
1956年1月	全国半导体物理学讨论会
1956年3月	全国十二年科学技术发展远景规划
1962年4月	中国电子学会第一届学术年会
1964年	全国第三次受激光会议	上海
1964年9月	国际发光会议和激光及其应用会议	英国
1964年11月	国际半导体会议	捷克
1975年3月	美国物理学会年会	美国
1978年3月	全国科学大会	北京
1981年5月	美国电化学学会硅材料及工艺会议	美国
1982年8月	第14届国际固体器件会议和VLSI工艺会议	日本
1985年9月	欧洲固体电路会议	法国、比利时
1986年8月	第18届国际固体器件与材料会议	日本
1990年1月	信息光电子学术研讨会	厦门
1990年12月	国际电子器件会议（IEDM）会议	美国
1993年9月	全国ICCAD学术年会	西安
1993年12月	WSDRS会议	美国
1993年12月	国际电子器件会议（IEDM）会议	美国
1994年8月	“光子学”香山学术研讨会
1994年9月	微机械装配仪器鉴定会	上海
1994年12月	中国科学院军工史总结会
2002年10月	第十二届全国化合物半导体材料、微波器件会议	厦门

成果奖励

时间	获奖项目	奖励名称
1963年9月	用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命	中国科学院第一批奖励发明三等奖
1978年	室温同质结脉冲GaAs激光器、大气光通信与半导体激光器	全国科技大会奖
1979年	Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟	中国科学院半导体研究所科技成果奖三等奖
1979年12月	N沟MOS4千位动态随机存储器提高管芯成品率的研究	中国科学院科研成果奖一等奖
1981年	16千位N沟MOS动态随机存储器	中国科学院科研成果奖一等奖
1985年	半导体双稳态激光器的研究	中国科学院科技进步奖二等奖
1986年	集成电路大生产试验	中国科学院“六五”科技攻关重大成果奖
1987年	世界新技术革命和我国的对策	国家科学技术进步奖二等奖
1989年	3微米LSI（大规模集成电路）中试线的建设	中国科学院科技进步奖二等奖
1990年	集成电路中试生产线	中国科学院科技进步奖二等奖
2001年	半导体神经网络技术及其应用	北京市科学技术进步奖一等奖

人才培养

高校兼课

王守武指导青年科技人员

王守武先后在中国科技大学、清华大学、北京大学、复旦大学等高等学校兼职授课。

讲授课程

1955年，王守武在北京大学物理系讲授《半导体物理学》等课程。

王守武在华北大学讲授《理论物理》《电工学》等课程。

王守武在中国科技大学讲授《半导体物理（Ⅱ）》等课程。

培养成果

王守武为中国的半导体和微电子领域培养了新一代人才 ，如半导体器件和集成电路专家吴德馨院士 ，中国科学院博士生导师余金中教授等。

荣誉表彰

时间	荣誉表彰
1979年12月	全国劳动模范
1980年	中国科学院学部委员（院士）
1990年10月	“回国参加社会主义建设三十年”证书
1991年7月	享受国务院特殊津贴专家
2000年	何梁何利基金科学与技术进步奖
2008年5月	中国科学院研究生院“杰出贡献老师”称号

时间	担任职务
1960年4月	中国科学院物理研究所半导体研究所筹委会副主任
1962年	中国电子学会半导体与集成技术分会第一届委员会主任委员
1962年11月	中国科学院物理研究所半导体研究所学术委员会主任委员
1963年—1982年	中国物理学会常务理事
1964年12月—1975年1月	中华人民共和国第三届全国人民代表大会代表
1975年1月—1978年3月	中华人民共和国第四届全国人民代表大会代表
1978年	《中国大百科全书》电子学与计算机卷编辑委员会委员
1978年	中国电子学会半导体与集成技术专业分会主任委员
1978年2月—1983年6月	中国人民政治协商会议第五届全国委员会委员
1979年	中国电子学会常务理事
1980年	中国科学院科学仪器及元件考察小组组长
1980年	《半导体学报》主编
1983年	国务院电子振兴领导小组集成电路顾问组组长
1983年6月—1988年3月	中国人民政治协商会议第六届全国委员会委员
1985年8月	中国科学技术促进发展研究中心兼职研究员
1986年1月	中国科学院微电子中心名誉主任
1986年1月	北京市人民政府大规模集成电路顾问组第二届顾问
1986年4月	复旦大学电子工程系兼职教授
1987年1月	清华大学微电子学研究所、精密仪器与机械学系兼职教授
1987年1月	长城计算机集团公司科学技术委员会第一届委员
1987年10月	北京对外科学技术交流协会理事
1987年10月	中国电子专用设备工业协会顾问
1988年3月—1993年3月	中国人民政治协商会议第七届全国委员会委员
1988年5月	北京市自然应用科学设计研究院学术委员会主任
1988年6月	国家自然科学基金委员会第二届学科评审组成员
1988年6月	中国电子学会第四届理事会理事
1990年1月	北京市人民政府第四届专业顾问团顾问
1990年5月	国家自然科学基金委员会第三届半导体学科评审组成员
1991年	《半导体器件研究与进展》第二册主编
1991年3月	北方微电子科研基地专家委员会特邀顾问
1992年5月	《全国高技术重点图书》出版指导委员会委员
1992年5月	《全国高技术重点图书》微电子技术领域编审委员会主任委员
1993年1月	《中国当代高级科技人才系列词典》编委会编委
1993年2月	清华大学精密仪器与机械学系、微电子学研究所兼职教授
1995年	《半导体器件研究与进展》第三册主编
1995年8月	中国科学院半导体研究所第五届学术委员会委员
1996年1月	北京大学计算机科学技术系兼职教授
1996年9月	中国电子学会半导体与集成电路技术专业分会主任委员
1997年	《硅谷》主编
1998年9月	中国电子科技大学名誉教授
1999年9月	第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会顾问委员会委员
2002年10月	苏州国际外语学校青少年科学院名誉院长

家世背景

称呼	姓名	人物介绍
祖父	王颂蔚	晚清历史学家、文学家
祖母	王谢长达	创办振华女校的女权运动先驱
父亲	王季同	中国最早在国际上发表学术论文并产生国际影响的科学家之一
母亲	管尚孝
伯父	王季烈	清末民初物理教育家，翻译编写了多部理科教材
叔叔	王季点	毕业于东京工业学院应用化学科，热心于“实业救国”
叔叔	王季绪	中国早期的机械工程专家之一，先后执教于北京大学、北平工业学院等
姑妈	王季茝	美国芝加哥大学获得博士学位，是第一位华人女博士
姑妈	王季玉	留学日本、美国
大姐	王淑贞	中国妇产科学奠基人之一
大哥	王守竞	留美理论物理学博士，因工作原因定居美国
二姐	王明贞	统计物理随机过程专家，曾在清华大学物理系任教
弟弟	王守觉	半导体电子学家，中国科学院院士

婚姻家庭

1949年，王守武、葛修怀在美国普渡大学留影

1948年5月1日，王守武与普渡大学同学葛修怀结婚 ；1949年10月，王守武女儿王义格出生 ；1951年5月，王守武儿子王义向出生 。

1977年，与钱三强（右）出访澳大利亚

“王守武是一位具有战略眼光的科学家，是中国半导体科学技术事业的重要开拓者和奠基人之一，他对中国半导体科学技术发展方向、政策和策略的确定有过很多卓见。”（中国科学家评）

“王守武是中国半导体科学技术事业的重要开拓者和奠基人之一，对中国的半导体事业，特别是半导体器件物理和产品的研发和生产方面作出了重大的贡献。”（《中国科学报》评）

“王守武是中国半导体学界享有崇高威望的科学家，他的为人和他的科学成果一样，赢得了人们的爱戴和敬重。”（中国科学院半导体研究所评）

2002年，王守武（右）主持学术研讨会

“他（王守武）是中国半导体微电子和光电子科技事业的奠基人之一，他那学识渊博、坚韧不拔、实事求是、严肃认真、言传身教、一丝不苟的优秀品质，永远是我们学习的榜样。”（半导体器件和集成电路专家吴德馨院士评）

“王守武作为中国半导体科学泰斗，他在科学上取得的一系列重大成果，他的功绩将永远记载在中国科技发展史上。”（中国科学院微电子研究所研究员叶甜春评）

王守武基金

为王守武塑像揭幕

2016年6月3日，“王守武奖励基金”捐赠座谈会在中国科学院微电子研究所举行。

王守武夏令营

为增进青年学生对微电子学科领域的了解，拓宽学术视野，活跃学术思维，激励学术创新，中国科学院微电子研究所联合国科大微电子学院举办了“王守武”微电子科学大学生夏令营。

树立雕像

2019年10月28日，王守武塑像落成仪式在中国科学院微电子研究所举行。